能造2nm以下芯片!ASML首次公開展示High NA EUV光刻機:全球最先進
快科技2月15日消息,近日,光刻機巨頭ASML首次在其荷蘭總部向媒體公開展示了最新一代的High NA EUV光刻機。
據悉,一套High NA EUV光刻機的大小等同于一臺雙層巴士,重量更高達150噸,組裝起來比卡車還大,需要被分裝在250個單獨的板條箱中進行運輸。
裝機時間預計需要250名工程人員、歷時6個月才能安裝完成。
根據爆料顯示,High NA EUV的售價高達3.5億歐元一臺,約合人民幣27億元,它將成為全球三大晶圓制造廠實現2nm以下先進制程大規模量產的必備武器。
2023年12月,Intel已率先拿下了全球首臺High NA EUV光刻機,臺積電和三星訂購High NA EUV預計最快2026年到貨。
由于High NA EUV光刻機價格是當前EUV光刻機的兩倍,這也意味著設備成本將大幅增加。
而明年即將量產的2nm依然可以依賴于現有的EUV光刻機來完成,并且成本并不會大幅增加,這也是臺積電、三星不急于導入High NA EUV光刻機的關鍵。
去年12月,ASML官方社交媒體賬號發布了一張現場照片。圖可以看到,光刻機的一部分被放在一個保護箱中。箱身綁著一圈紅絲帶,正準備從其位于荷蘭埃因霍溫的總部發貨。
“耗時十年的開創性科學和系統工程值得鞠一躬!我們很高興也很自豪能將我們的第一臺高數值孔徑的極紫外光刻機交付給Intel。”ASML公司說道。
公開資料顯示,NA數值孔徑是光刻機光學系統的重要指標,直接決定了光刻的實際分辨率,以及最高能達到的工藝節點。
一般來說,金屬間距縮小到30nm以下之后,也就是對應的工藝節點超越5nm,低數值孔徑光刻機的分辨率就不夠了,只能使用EUV雙重曝光或曝光成形(pattern shaping)技術來輔助。
這樣不但會大大增加成本,還會降低良品率。因此,更高數值孔徑成為必需。
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