小米自研800V高壓碳化硅平臺 雷軍:實際已達900V
來源:快科技 編輯:非小米 時間:2023-12-28 14:48人閱讀
快科技12月28日消息,在正在舉行的小米汽車技術發布會上,雷軍稱小米自研了800V高壓碳化硅平臺。
同時其還表示,目前市面上的800V很多都不是800V,只有700多,甚至個別還有500多,雖然在業界都可以統稱800V,但小米并不準備這樣做。
據悉,小米的800V已經達到了871V,雷軍稱基本已經可以達到了900V的標準。
同時小米還打造了CTB一體化電池技術,電池包厚度僅120mm,線束減少了91%,同時自研的800V架構最高可容納150度電池,CLTC續航里程超1200公里;目前成熟的體系為132千瓦時,CLTC續航里程超1000公里。
不止如此,雷軍稱小米的電池還具有更多高端科技,包括電芯倒置技術,確保安全,還將挑戰冬季電車續航之王。
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