快科技7月25日消息，據(jù)國外媒體報道稱，蘋果可能會在2026年的iPhone上啟用更大存儲，預(yù)計(jì)是2TB。

產(chǎn)業(yè)鏈最新透露的情況是，蘋果正在加速推進(jìn)QLC NAND換代，從而將內(nèi)置存儲上限提高到2TB。

至于為何使用QLC，可能還是跟蘋果控制成本有關(guān)。

其實(shí)在這之前就有消息稱，蘋果可能會改變存儲容量（iPhone 16上啟用），不再使用三層單元（TLC）NAND 閃存，而是在存儲容量達(dá)到或超過1TB的機(jī)型上使用四層單元（QLC）NAND閃存。

與TLC相比，QLC的優(yōu)勢在于每個存儲單元可以存儲四位數(shù)據(jù)，在使用相同數(shù)量的單元時比TLC儲存更多的數(shù)據(jù)，或者使用更少的單元儲存更多的數(shù)據(jù)，而這可以降低生產(chǎn)成本。

此外，QLC閃存被認(rèn)為不如TLC閃存可靠，寫入數(shù)據(jù)的耐久性會降低，因?yàn)槊總€單元寫入的次數(shù)更多，因?yàn)槊總€單元多包含一個位。

QLC NAND閃存可以存儲16種不同的電荷電平，而TLC僅能存儲8種電荷電平。讀取數(shù)據(jù)時，由于電荷量增加，裕量減少，這就有可能因噪聲增加而導(dǎo)致位錯誤增加。

如果蘋果繼續(xù)執(zhí)行這一計(jì)劃，一些版本的iPhone 16 用戶可能會遇到數(shù)據(jù)寫入速度低于低容量用戶的情況。