快科技5月31日消息，三星電子在日前的“AI-PIM研討會”上表示，其8nm版本的eMRAM內存開發已基本完成，正按計劃逐步推進制程升級。

eMRAM是一種基于磁性原理的新型內存技術，與傳統的DRAM內存相比，它具有非易失性，不需要定期刷新數據，從而實現更高的能效。

此外，eMRAM的寫入速度達到了NAND內存的1000倍，這使得它能夠支持對寫入速率有更高要求的應用場景。

三星電子目前具備28nm eMRAM的生產能力，并已開始向智能手表等終端產品供貨。

根據此前報道，三星電子曾計劃在2024年量產14nm eMRAM，并在2026年實現8nm eMRAM的量產。

現在，隨著8nm eMRAM開發的基本完成，公司正朝著2027年推出5nm eMRAM的目標穩步前進。

同時三星對eMRAM在未來車用領域的應用充滿信心，并表示其產品耐溫能力已達到150~160℃，完全能夠滿足汽車行業對半導體的嚴苛要求。