電壓僅1.1V!英睿達(dá)DDR5 Pro內(nèi)存超頻版圖賞
來源:快科技 編輯:非小米 時間:2024-03-23 21:48人閱讀
快科技3月23日消息,英睿達(dá)推出了DDR5 Pro內(nèi)存,現(xiàn)在已經(jīng)來到我們評測室,下面為大家?guī)韴D賞。
英睿達(dá)DDR5 Pro內(nèi)存配備了黑色的散熱模塊,沒有RGB燈效。
與一般的Classic系列不同的是,Pro系列內(nèi)存支持官方超頻技術(shù),支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO,為用戶帶來更強的性能。
我們手上的是DDR5-6000 32GB(16GB x2)套裝,在保持6000MT/s高頻率的同時,時序優(yōu)化至CL36-38-38,相比標(biāo)準(zhǔn)版的CL48-48-48有了顯著的提升。
為了實現(xiàn)更好的超頻效果,這款內(nèi)存的電壓也由標(biāo)準(zhǔn)的1.1V提升至1.35V。這不僅保證了內(nèi)存在高頻運行時的穩(wěn)定性,也為其提供了更大的超頻潛力。
官方表示,Pro內(nèi)存超頻版在降低延遲的同時,還能在1080p和1440p分辨率下提升多款內(nèi)存密集型游戲的運行幀率。
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