快科技2月8日消息，Intel已于日前接受了ASML的第一臺新一代高NA EUV光刻機，但是臺積電一直不為所動，可能要到1nm工藝時代才會跟進。

Intel計劃將高NA EUV光刻機用于Intel 18A后的制程節(jié)點，也就是超過1.8nm，時間大概在2026-2027年。

Intel此前公布的路線圖上，18A之后已經(jīng)安排了三個新的制程節(jié)點，但尚未具體命名。

基辛格透露其中一個相當于1.5nm工藝，預計命名為15A，將在德國工廠量產(chǎn)。

臺積電對于高NA EUV光刻機引入計劃則一直守口如瓶，有多個消息來源稱臺積電還在觀望評估，目前計劃要等到1nm工藝節(jié)點才會上馬，而時間要等到2030年左右了。

臺積電目前正在沖刺2nm工藝，預計2025-2027年間量產(chǎn)，單芯片可集成超過1000億個晶體管，單個封裝可超5000億個。

然后是1.4nm、1nm，其中后者計劃2030年左右量產(chǎn)，將在單顆芯片內(nèi)集成超過2000億個晶體管，單個封裝內(nèi)則超過1萬億個，相比N2工藝翻一倍。

有趣的是，Intel也計劃在2030年做到單個封裝1萬億個晶體管，可謂針鋒相對。