快科技11月2日消息，據媒體報道，在本季度將NAND閃存芯片報價調漲10%至20%之后，三星計劃明年一季度與二季度再次逐季調漲20%。

三星表示，此舉是為了努力穩定NAND價格、達成明年上半年逆轉市場等目標的一系列行動。

根據近日三星向客戶公布的四季度官價，移動DRAM合約價環比漲幅在11%-25%左右。

NAND閃存方面，UFS4.0漲幅約2%，eMCP、uMCP漲幅不等，平均漲幅20%以上，最高漲幅高達66%。

三星漲價的底氣主要還是來自于其減產計劃，在10月31日的財報會議上，三星執行副總裁直言，“三星接下來的減產行動，將比目前DRAM縮減產出的規模更大。”

這也意味著，目前三星在積極提高報價的同時，也通過持續減產來控制市場供給量。

作為全球存儲芯片的龍頭企業，三星帶頭漲價也將會使整體市場價格上漲。

此外，隨著主要廠商減產，以及終端廠商需求的復蘇，NAND閃存預計在今年四季度開始價格反彈，并開啟新一輪上漲周期。