高速內(nèi)存對于手機性能至關(guān)重要，現(xiàn)在我們同時迎來了美光的最新LPDDR5X、SK海力士的獨家LPDDR5T，數(shù)據(jù)傳輸率都高達(dá)9.6Gbps(GT/s)。

美光LPDDR5X-9600采用其最新的1β工藝制造，單顆封裝最大容量16GB(不知道用了幾顆Die)，速率相比此前最快的LPDDR5X-8533又提高了12％。

美光提到，新內(nèi)存應(yīng)用了增強版的動態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)技術(shù)(DVFS)，PC處理器上很常見。

美光宣稱，它比友商1α工藝的LPDDR5X把功耗降低了最多30％。

SK海力士的LPDDR5T-9600早就宣布了，與聯(lián)發(fā)科有深度合作，今年8月份通過了驗證。

它的單顆封裝容量最大也是16GB，制造工藝為1α，VDD電壓范圍1.01-1.12V，VDDQ電壓為10.5V。

作為對比，LPDDR5X的最大VDD電壓為1.1V，也就是說LPDDR5T略微提高了一些。

美光LPDDR5X-9600預(yù)計會成為驍龍8 Gen3旗艦機的標(biāo)配，SK海力士LPDDR5T-9600自然會主要搭配天璣9300旗艦機，當(dāng)然也能用于驍龍8 Gen3平臺。