半導體進入下行周期，存儲作為半導體中舉足輕重的一個門類，尤為疲軟。因為通貨膨脹導致PC產(chǎn)品銷售停滯、DRAM供應(yīng)過剩，DRAM價格已經(jīng)連續(xù)七個月下滑。所以，關(guān)于存儲，最近真的是沒有什么好消息。

另一邊，新型存儲也一直不溫不火，各新型存儲技術(shù)優(yōu)勢頗多，但真正商用還存在各種挑戰(zhàn)。

傳統(tǒng)存儲芯片技術(shù)和廠商在艱難中前行

半導體行業(yè)迎來下行周期，存儲廠商苦不堪言。從市場角度來看，第三季度，三大存儲廠商的銷售額都感受到了急劇下滑，三星電子的DRAM銷售額為71.33 億美元，環(huán)比下降34.2%；SK 海力士錄得52.46億美元，下降25.3%；

美光科技錄得43.5億美元，下降 26.3%。而且SK海力士還預計將在第四季度出現(xiàn)虧損，這是10年來的首次。

雖說汽車存儲市場正在快速崛起，但相比之下，汽車存儲器市場依舊是很小的一部分，據(jù)Yole的最新報告，2021年汽車存儲器市場僅占全球存儲器市場收入的2.6%。

而且，汽車市場在質(zhì)量、資格、可靠性、功能安全和供應(yīng)壽命方面有特定要求，在Yole看來，汽車存儲器業(yè)務(wù)正迎來前所未有的挑戰(zhàn)和機遇。

從技術(shù)來看，在“存儲器”和“性能墻”兩大高墻之下，傳統(tǒng)存儲發(fā)展越來越吃力。由于工藝完整性、成本、單元泄漏、電容、刷新管理和傳感裕度方面的挑戰(zhàn)，存儲單元縮放正在放緩。

業(yè)界很早就關(guān)注到了傳統(tǒng)存儲在制程微縮上面臨的困境，繼續(xù)微縮將要花費更多時間、成本。但即使這樣，存儲巨頭們?nèi)栽谙冗M技術(shù)上不斷追趕。

為了提高NAND Flash的容量，廠商們正在利用3D堆疊技術(shù)蓋高樓，拼層數(shù)。DRAM領(lǐng)域則聚焦制程迭代，隨著工藝來到10nm及以下，價格高昂的EUV光刻機和3D堆疊技術(shù)開始成為廠商們比拼的關(guān)鍵利器。

前不久，美光的DRAM技術(shù)1β（1-Beta） 節(jié)點正式量產(chǎn)出貨，而三星和SK海力士還停留在1α階段。英特爾也重返了存儲市場，表示希望重新思考DRAM存儲器的架構(gòu)，及與計算平臺結(jié)合的基本面，以此來實現(xiàn)突破性的效能提升。

如今的CPU、GPU和各種SoC通常利用SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）來處理數(shù)據(jù)緩存，即使是智能手機的通用處理器、圖形芯片和應(yīng)用處理器也攜帶著巨大的緩存，雖然邏輯芯片可以隨著工藝勉強擴展下去，但是SRAM單元卻一直落后。

臺積電的一篇論文中表示，SRAM的微縮似乎已經(jīng)完全崩潰。

據(jù)WikiChip的報道，在今年的第68屆年度IEEE國際電子器件會議 (IEDM) 上，臺積電談到其新的N3節(jié)點中高密度SRAM位單元大小根本沒有縮小，在0.021μm?處與他們的N5節(jié)點的bitcell大小完全相同。

然而，在0.0199μm?，它只有5%的縮放(或0.95倍收縮)。

也就是說，臺積電的N3B和N3E雖都提供了1.6倍和1.7倍的芯片級晶體管縮放，但SRAM卻只有1倍和1.05倍的縮放。

SRAM的縮放進入極限不僅是臺積電一家感受到了，英特爾最近宣布的Intel 4進程SRAM 縮放比例已從歷史上的0.5-0.6倍放緩至0.7-0.8 倍。所以可以看出，在3nm及以下節(jié)點按照傳統(tǒng)方式進行SRAM縮放似乎已經(jīng)結(jié)束。

所以SRAM也進入了一個有趣的拐點，未來是尋找更好的替代品還是新的連接方式和新的晶體管。Anton Shilov在他2022年12月16日發(fā)表的文章提到，由于SRAM單元區(qū)域擴展緩慢，CPU和GPU等處理器可能會變得更加昂貴。就目前來說，唯一可行的方法是采用更多小芯片設(shè)計，并將較大的緩存分解為在更便宜的節(jié)點上制造的單獨芯片。

由于傳統(tǒng)存儲所面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)，所以這幾年業(yè)界對新型存儲寄予厚望。各種新型存儲技術(shù)未啟用先火，各種優(yōu)勢撲面而來，似乎要掀起一輪存儲的革命。

為何新型存儲還沒“出人頭地”？

以PCM、MRAM、ReRAM、FRAM等為代表的新型存儲器技術(shù)，分別對應(yīng)相變、磁變、阻變、鐵電，各有千秋，也因此集聚了不同陣營。但新興技術(shù)的市場應(yīng)用有限，尚無法構(gòu)成實質(zhì)性替代。

PCM（相變存儲器）被業(yè)界公認為是工藝最為成熟的，PCM比NAND擁有更快的寫入周期、更快的訪問時間、低功耗、可執(zhí)行等優(yōu)點，因此也成為未來最有望取代當前傳統(tǒng)存儲器的高速存儲介質(zhì)。

PCM 在市場上的預期增長完全取決于美光與英特爾聯(lián)合開發(fā)的3D XPoint技術(shù)。

但隨著美光于2021年3月退出該市場，再加上英特爾Optane內(nèi)存的消亡，PCM也隴上了一層陰霾。Optane是相變存儲器（PCM）的一種變體，英特爾此前試圖用PCM來替代NAND閃存，但因為成本很高而以失敗告終。

PCM陣營中還有意法半導體（ST），ST搭載ePCM的Stellar 車用MCU計劃于2024年量產(chǎn)。

不過，即使是英特爾和美光這樣的國際半導體制造商也很難讓PCM具有價格競爭力，接下來是否還會有更多的企業(yè)追逐它也讓人有所懷疑。

MRAM（磁阻隨機存取存儲器）因兼具SRAM的高速和DRAM的高密度，并且在性能和耐用性方面優(yōu)于NAND 閃存，以及微縮至22納米以下的潛力，相當適合應(yīng)用在嵌入式記憶體的領(lǐng)域。

MRAM已經(jīng)存在多年，但它的采用一直很緩慢，部分原因是制造方面的挑戰(zhàn)，還因為芯片保存的數(shù)據(jù)相對較少。

MRAM是三星、臺積電先后投入研究的新型存儲產(chǎn)品。早在2002年，三星電子開始研究MRAM，2019年，三星電子推出了一款基于28nm的內(nèi)置MRAM產(chǎn)品。

今年，三星電子在IEDM上以論文形式發(fā)表了下一代MRAM的相關(guān)研究開發(fā)成果，三星在14nm FinFET工藝中，采用了現(xiàn)有28nm工藝中的磁隧道結(jié)（MTJ），摘要稱，將MTJ縮小到14納米FinFET節(jié)點后，面積縮小了33%，讀取時間加快了2.6倍。

另外，2022年6月中旬，臺灣工研院攜手臺積電共同發(fā)表SOT-MRAM技術(shù)，該技術(shù)能在低電壓、電流的情況下，達到0.4納秒的高速寫入，并具備7萬億次的耐受度。

此外，瑞薩也在主攻MRAM，其已在22納米工藝上實現(xiàn)高速STT-MRAM。

上圖是三星eMRAM bit-cell陣列在14nm邏輯平臺上的橫截面TEM圖（圖源：IEDM）

MRAM的市場前景也被廣泛看好，日本東北大學國際集成電子研究中心（CIES）預計MRAM將在AI服務(wù)器和高性能計算機中發(fā)揮作用。據(jù)IMARC Group的報告，2022年全球MRAM市場規(guī)模達到4.271億美元。

展望未來，IMARC Group預計到2028年該市場將達到45.25億美元，2023-2028年的增長率 (CAGR) 為 44.5%。

MRAM出貨存儲容量的預計增長（來源：Coughlin Associates 和 Objective Analysis 估計）

ReRAM的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在更高的耐用性、對環(huán)境的穩(wěn)健性、低功耗和高速，而且另外很重要的一個優(yōu)勢是ReRAM可以使用后端 (BEOL) 制造進行整合，從而提高集成靈活性。

ReRAM的商用化似乎正在加速。2022年11月，美國晶圓代工廠SkyWater生產(chǎn)出第一批集成以色列半導體公司W(wǎng)eebit的嵌入式ReRAM的硅晶圓， Weebit Nano的ReRAM封裝在一個256 kb陣列中，一個RISC-V微控制器，以及嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用程序所需的其他接口和外圍設(shè)備（如下圖所示）。

國內(nèi)方面，昕原半導體、億鑄科技等也都推動基于ReRAM存儲介質(zhì)的存算一體技術(shù)的商用，此前昕原半導體首款28nm制程ReRAM產(chǎn)品SE-1已正式向工控領(lǐng)域品牌客戶量產(chǎn)出貨。

Weebit Nano/SkyWater的ReRAM測試芯片（圖源：Weebit Nano）

FRAM的單位銷量似乎超過了所有其他新興存儲類型的總和，主要是富士通所帶來的出貨量，據(jù)悉，富士通的用于地鐵票價卡的RFID芯片中所使用的FRAM芯片已經(jīng)出貨了至少40億顆。FRAM（鐵電RAM）的優(yōu)勢體現(xiàn)在，相比競爭對手EEPROM和MRAM，其消耗的有源電流要小得多，如下圖所示。

在FRAM商用方面，英飛凌最近推出了8 Mb和16 Mb Excelon FRAM存儲器，可滿足汽車和工業(yè)系統(tǒng)的非易失性數(shù)據(jù)記錄要求。或許現(xiàn)在的汽車行業(yè)的發(fā)展需求下，F(xiàn)RAM能夠施展拳腳，因為這些系統(tǒng)與外太空一樣是惡劣的操作環(huán)境，需要額外的保護以防止數(shù)據(jù)丟失。

除了英飛凌，F(xiàn)RAM的擁抱者還有富士通、羅姆、德州儀器等。

FRAM與競爭對手EEPROM和MRAM的對比（圖源：英飛凌）

盡管可商用，但FRAM并沒有被廣泛認知和追捧，這主要是因為，F(xiàn)RAM中包含元素周期表中的鉛和鉍，很容易污染工廠，它在歷史上很難與標準CMOS工藝集成，在較小的工藝中也不能很好地微縮。

因此，F(xiàn)RAM 作為非易失性嵌入式片上存儲器的用途有限。不過據(jù)業(yè)界的研究和努力，氧化鉿和氧化鋯也可以配制成表現(xiàn)出鐵電特性，而且這些材料由于其他原因已經(jīng)在晶圓廠中使用，或許FRAM的未來還是可以一搏。

所以總體看下來，新型存儲技術(shù)優(yōu)勢頗多，挑戰(zhàn)也不少，未來新興的存儲技術(shù)將何去何從，還要看各家廠商的推動和努力。

結(jié)語

存儲芯片是長期高成長的賽道，占據(jù)半導體三分之一的江山，只要有數(shù)據(jù)就離不開存儲。所以無論是傳統(tǒng)存儲還是新型存儲，在當下5G、AI和汽車的新發(fā)展需求下，似乎都有不同的發(fā)展契機和挑戰(zhàn)。接下來，存儲市場將必定迎來百花齊放，百家爭鳴的格局。