快科技6月29日消息，如今的SSD容量越做越大，企業(yè)級SSD容量已達30TB、60TB的、甚至120TB。但SSD壽命一直是“致命傷”，越大容量的盤，出現(xiàn)故障后，丟失的數(shù)據就越多。

近日， 華為數(shù)據存儲發(fā)文，揭開華為全閃分布式存儲讓SSD大盤更“長壽”的秘訣。

首先，為什么SSD會有壽命問題？

SSD閃存實際是由半導體元件、NAND Flash顆粒組成。通過對盤上顆粒不斷的擦和寫，來完成對數(shù)據的增、刪、改、查。

這個過程中，顆粒捕獲電子的能力會逐漸減弱，當減弱到一定程度后、也就是超過顆粒最大擦寫次數(shù)，便可能出現(xiàn)“電子逃逸”現(xiàn)象，也就是硬盤寫穿、數(shù)據錯誤、壽命耗盡。

盤上全部顆粒可支持的總擦寫次數(shù) 和 使用期間用戶寫入的數(shù)據量。只要后者小于前者，那么就能保證壽命無憂！

因此，下面這個公式就能一目了然：

所以，想延長SSD壽命，就要減少“寫放大”。

為了降低分母，就要減少罪魁禍首——“寫放大”。寫放大的意思是，比如，在寫入16KB的業(yè)務數(shù)據時，呈現(xiàn)到盤上卻變成寫入64KB物理數(shù)據量，被放大了，消耗了數(shù)倍的擦寫次數(shù)，加速顆粒老化。“寫放大”的源頭來自于以下三點：

后臺垃圾回收

SSD是無法覆蓋寫的，要想修改數(shù)據必須擦除顆粒、重新寫入，Block就是擦除的最小單元。當少量數(shù)據修改時， SSD就會將原Block上的全部有效數(shù)據讀取后，寫入新的Block位置，再擦除原Block。

這個過程，就像整理房間一樣，要先把老房間的東西全部搬出來，再放到新房間里重新布置。換句話說，少量的數(shù)據更新，會引發(fā)更大面積顆粒的擦寫。

小I/O補齊

SSD可讀寫的最小單元是Page（一般是512個byte）。在用戶層面寫入數(shù)據時，當用戶寫入的I/O大小不足一個Page容量，為了能管理它，就需要額外尋找另一份數(shù)據，來和原數(shù)據拼湊成一整個Page的大小，再寫入到顆粒中。“這個不夠、別的來湊”，這用來湊齊的無效數(shù)據，就會造成寫放大。

元數(shù)據變化

在SSD上，元數(shù)據是描述數(shù)據的索引，一般緊密地存放在一些Block區(qū)域。當用戶在頻繁修改數(shù)據時，對應的每份元數(shù)據也必須跟著被修改、重定向，造成多次讀寫、擦寫，牽一發(fā)而動全身。

華為OceanStor Pacific分布式存儲采用了一個創(chuàng)新的機制——小I/O聚合，將小I/O在寫盤前聚合在保電內存中，只有達到一定粒度后才會寫入SSD，消除了小I/O補齊導致的寫放大。

這對元數(shù)據變化也非常友好。聚合后的小I/O更容易被集中修改，極大減少元數(shù)據被頻繁擦寫的概率。

同時，華為還采用了業(yè)界獨創(chuàng)的多流技術，即智能識別數(shù)據的冷熱程度并優(yōu)化數(shù)據布局，減少不必要的重復擦寫和數(shù)據搬移。

除了分母，也要增大分子。華為是采用額外的編碼糾錯技術，在達到顆粒的標稱擦寫次數(shù)后，對數(shù)據持續(xù)校驗或修正，徹底避免數(shù)據錯誤、業(yè)務出錯，變相地增大了顆粒的總擦寫次數(shù)。

華為開發(fā)了一套更加強大的組合拳——LDPC（Low Density Parity Check）算法與SmartFSP 3.0算法，一方面對Flash介質進行監(jiān)測，尋找更精確的讀取電位，另一方面保證高性能的校驗糾錯性能，提供更加精準的盤內冗余糾錯精度。

一個糾得正，一個查得準，二者配合，華為就將SSD數(shù)據的誤碼率從10-17降低至10-18，整整降低一個數(shù)量級，延長30~50%的SSD壽命。