快科技6月9日消息，根據摩根士丹利的最新報告，全球內存市場在2025年將迎來一次前所未有的供需失衡，這一現象主要由人工智能技術的快速發展和過去兩年內存行業資本支出不足所驅動。

報告預計，2025年HBM（高帶寬內存）的供應不足率將達到-11%，而整個DRAM市場的供應不足率將高達-23%，特別是HBM的需求量預計將大幅增加，可能占總DRAM供應的30%。

這一供需失衡的情況預示著內存價格的顯著上漲，報告中指出，商品存儲產品的價格在2024年將以每季度兩位數的速度上漲，而2025年HBM的價格將更高，服務器DRAM和超高密度QLC固態硬盤將引領這一價格上漲趨勢。

內存市場的這一“超級周期”將為行業內的戰略地位公司如SK海力士和三星帶來市場份額的進一步增長。

摩根士丹利已將這兩家公司的2024-25年的每股收益預測提高了24-82%，較最新的預期共識高出51-54%。

SK海力士預計將在2025年占據HBM市場的最大份額，其目標價被提高11%至30萬韓元，而三星電子的目標價被提高至10.5萬韓元。

內存市場的這一輪超級周期與以往有所不同，由于當前周期中行業的資本支出遠低于維持產能所需的水平，自2022年第三季度以來產能一直在下降。

這種投資的缺乏正發生在內存供應鏈迅速轉移到HBM之際，HBM的生產每比特所需的晶圓容量是普通DRAM的兩倍，其生產良率也較低，進一步加劇了供需失衡的情況。