快科技5月6日消息，據(jù)媒體報(bào)道，美國(guó)賓夕法尼亞大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日成功開(kāi)發(fā)了一款全新耐高溫存儲(chǔ)設(shè)備，該設(shè)備能在高達(dá)600℃的極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，確保存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)安全無(wú)虞。

這款耐高溫存儲(chǔ)設(shè)備的核心在于其獨(dú)特的制造材料——氮化鋁鈧（AIScN）。據(jù)研究團(tuán)隊(duì)成員Deep Jariwala介紹，氮化鋁鈧具有出色的化學(xué)穩(wěn)定性，其強(qiáng)大的化學(xué)鍵能在高溫下保持結(jié)構(gòu)的完整性和功能性，這使得該設(shè)備在面對(duì)高溫挑戰(zhàn)時(shí)展現(xiàn)出超凡的耐用性。

設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用了“金屬-絕緣體-金屬”的經(jīng)典設(shè)計(jì)，其中，一層45nm厚的氮化鋁鈧（AIScN）作為絕緣層，巧妙地將金屬鎳電極和金屬鉑電極結(jié)合在一起，這層氮化鋁鈧的厚度是設(shè)備成功的關(guān)鍵。

Jariwala解釋說(shuō)：“氮化鋁鈧的厚度需經(jīng)過(guò)精心控制，太薄會(huì)導(dǎo)致材料在高溫下過(guò)于活躍而退化，而太厚則會(huì)削弱其鐵電開(kāi)關(guān)性能，進(jìn)而影響設(shè)備的工作效率。”

這項(xiàng)技術(shù)不僅是對(duì)材料科學(xué)的突破，更是對(duì)當(dāng)前芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)的一次重大革新。Jariwala指出，傳統(tǒng)的芯片架構(gòu)中，中央處理器和內(nèi)存是分離的，這導(dǎo)致了數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t和效率低下。

尤其在處理大數(shù)據(jù)的AI應(yīng)用程序中，這種缺陷更為明顯。而這款耐高溫存儲(chǔ)設(shè)備通過(guò)允許內(nèi)存和處理器更緊密地集成在一起，極大地縮短了數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間，從而提升了計(jì)算速度、復(fù)雜性和效率。這種設(shè)計(jì)理念被研發(fā)團(tuán)隊(duì)稱為“內(nèi)存增強(qiáng)計(jì)算”。

展望未來(lái)，這款耐高溫存儲(chǔ)設(shè)備有望在AI系統(tǒng)建設(shè)中發(fā)揮重要作用。其卓越的耐高溫性能和高效的計(jì)算效率，將有助于提高AI系統(tǒng)的運(yùn)行穩(wěn)定性和計(jì)算效率，為人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入新的活力。