快科技3月13日消息，據(jù)媒體報道，有多名知情人士透露，隨著芯片制造競賽的升級，三星電子計劃采用競爭對手SK海力士的技術(shù)。

目前市場對于HBM（高帶寬存儲）芯片的需求越來越大，然而與競爭對手SK海力士和美光相比，三星卻失去了英偉達(dá)的大單。

分析人士普遍認(rèn)為，三星之所以丟掉大單，很大程度上源于其堅持采用非導(dǎo)電薄膜（NCF）芯片工藝；而SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）工藝，則有效解決了NCF技術(shù)的弊端。

分析師認(rèn)為，三星HBM3芯片的良率表現(xiàn)并不理想，僅維持在10-20%的水平；相比之下，其競爭對手SK海力士的HBM3良率高達(dá)60-70%。

無奈之下，三星也開始計劃采用SK海力士使用的MR-MUF工藝，而非此前堅持的NCF技術(shù)。

知情人士稱，三星最近已發(fā)出了處理MR-MUF技術(shù)的設(shè)備采購訂單，還在與包括日本長瀨公司在內(nèi)的材料制造商洽談采購MUF材料的事宜。

但盡管如此，由于需要進(jìn)行更多的測試和優(yōu)化，三星使用這一技術(shù)的芯片最早要到明年才能實現(xiàn)量產(chǎn)。