快科技1月6日消息，據(jù)媒體爆料，蘋(píng)果M3 Ultra新品會(huì)在今年年中登場(chǎng)，這顆芯片首次采用臺(tái)積電N3E工藝節(jié)點(diǎn)。

據(jù)了解，已經(jīng)上市的M3、M3 Pro和M3 Max等芯片采用臺(tái)積電N3B工藝，A17 Pro也是N3B工藝。

而接下來(lái)要發(fā)布的M3 Ultra以及A18系列芯片都將會(huì)采用N3E工藝節(jié)點(diǎn)。

資料顯示，臺(tái)積電規(guī)劃了多達(dá)五種3nm工藝，分別是N3B、N3E、N3P、N3S和N3X，其中N3B是其首個(gè)3nm節(jié)點(diǎn)，已經(jīng)量產(chǎn)，N3E是N3B的增強(qiáng)版，但從臺(tái)積電已經(jīng)披露的技術(shù)資料來(lái)看，柵極間距并不如N3B。

不僅如此，第一代3nm N3B成本高、良率低，只有70%-80%之間，這意味著芯片制造過(guò)程中有至少20%的產(chǎn)品存在缺陷，而N3E良率高、成本低，性能會(huì)略低于N3B。

業(yè)內(nèi)人士指出，臺(tái)積電N3B的良率和金屬堆疊性能很差，基于這些原因，N3B不會(huì)成為臺(tái)積電的主要節(jié)點(diǎn)，相比之下，N3E將使用更少的EUV光刻層，從25層縮減到21層，投產(chǎn)難度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是晶體管密度會(huì)降低。

總而言之，M3 Ultra將是蘋(píng)果史上最強(qiáng)悍的3nm芯片，搭載M3 Ultra的第一款設(shè)備是蘋(píng)果Mac Studio，新品也將會(huì)在今年年中登場(chǎng)，值得期待。