日本光刻機大廠佳能（Canon）在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的納米壓?。∟anoprinted lithography，NIL）設備FPA-1200NZ2C之后，佳能首席執行官御手洗富士夫近日在接受采訪時再度表示，該公司新的納米壓印技術將為小型半導體制造商生產先進芯片開辟一條道路，使得生產先進芯片的技術不再只有少數大型半導體制造商所獨享。

納米壓印技術并不利用光學圖像投影的原理將集成電路的微觀結構轉移到硅晶圓上，而是更類似于印刷技術，直接通過壓印形成圖案。在晶圓上只壓印1次，就可以在特定的位置形成復雜的2D或3D電路圖。

當下的5nm制程的先進半導體制造設備市場，則由ASML的EUV光刻機所壟斷，單臺價格約1.5億美元。

對于接下來更為先進的2nm及以下制程的芯片，ASML也推出了成本更為高昂的High-NA EUV光刻機，單臺價格或將超過3億美元，這也使得尖端制程所需的成本越來越高。

相比之下，佳能的目前納米壓印技術將可以使得芯片制造商不依賴于EUV光刻機就能生產最小5nm制程節點的邏輯半導體。

佳能半導體設備業務部長巖本和德還表示，如果改進光罩，納米壓印甚至可以生產2nm先進制程的芯片。

佳能的納米壓印技術或許將有機會幫助佳能縮小其與ASML的差距。

更為關鍵的是，佳能的納米壓印設備成本和制造成本都遠低于ASML的EUV光刻機。巖本和德表示，客戶的成本因條件而異，據估算1次壓印工序所需要的成本，有時能降至傳統曝光設備工序的一半。而且，因為納米壓印設備的規模較小，在研發等用途方面也更容易引進。

佳能CEO御手洗富士夫此前曾表示，該公司的納米壓印設備的“價格將比ASML的EUV光刻機低一位數（即僅有10%）”。

在客戶方面，佳能表示目前收到了半導體廠商、大學、研究所的很多咨詢，以期待作為EUV設備的替代產品，使納米壓印設備備受期待。預計，該設備將可用于閃存、個人電腦用DRAM，以及邏輯等多種半導體生產用途上。