快科技12月23日消息，據國外媒體報道稱，Intel的CEO接受采訪時表示，自家的18A制程（1.8nm）比領先臺積電N2，在這塊他們2年內沒有對手。

報道稱，英特爾的未來取決于重新獲得半導體制造領域的技術領先地位，這位CEO相信這將在兩年內實現。

在Intel的CEO看來，其對20A和18A充滿信心，主要是因為它們采用了RibbonFET架構，即全柵極 (GAA) 晶體管和背面功率傳輸技術。

這些技術對于制造2nm芯片的公司來說至關重要，可以在降低功率泄漏的同時實現更高的邏輯密度和時鐘速度。

與此同時，臺積電的N3P和其他即將推出的3nm節點將繼續使用成熟的FinFET架構，直到英特爾一年后的N2節點轉向GAA。

不過臺積電并不買賬，公司總裁魏哲家之前聲稱，根據內部評估，臺積電N3P 3nm工藝在性能方面就可以媲美Intel 18A，而且更早推出、更成熟、更省成本。

他還強調，臺積電的2nm工藝比Intel 18A更加先進，2025年推出的時候將成為最先進的制程工藝。

值得一提的是，Intel的CEO之前還表示，英偉達的成功都是運氣。