據外媒體報道，存儲芯片大廠三星在獲得美國政府對其在中國的工廠的“無限期豁免”之后，使得三星在中國的工廠將無需特別許可申請，就可進口美國芯片設備來進行升級或擴產的動作。

報道稱，在取得豁免后，三星高層已決定將其為在中國西安NAND Flash閃存工廠升級到236層堆疊的技術，并準備開始大規模擴產動作。

△三星 1Tbit Gen 8 V-NAND 芯片

報道引用消息人士的說法指出，三星已開始預定和購買最新的半導體設備以用于接下來的制程轉換動作。

預計，新設備將在2023年底交貨，并在2024年于西安工廠陸續引進可生產三星第8代V-NAND的技術，堆疊層數將達到236層，相比其第7代V-NAND的176層數增長了34%。

這也被業界視為在當前全球NAND Flash閃存需求疲軟，導致產能下降的應對計劃。

根據公開數據顯示，三星中國半導體有限公司在2012年正是落腳中國西安高新區。

其中，三星半導體西安工廠是該公司唯一的海外內存半導體生產基地，于2014年開始運營，并在2020年增建第二座工廠后，主要以生產128層堆疊NAND Flash閃存為主，月產能達20萬片12寸晶圓，占三星NAND Flash產總量的40%以上。

資料顯示，三星在中國大陸的西安、蘇州擁有存儲芯片工廠。

其中，西安工廠是三星在華最大投資項目，主要制造3D NAND閃存芯片。三星中國西安工廠的第一期工程投資108.7億美元，而在2017年開始，三星開始展開第二期工程，兩期工程先后共投資了150億美元。

目前，三星西安工廠月產能將達到26.5萬張12英寸晶圓，占三星全球NAND閃存芯片總產量的42%。

2022年，三星半導體西安工廠產值將突破1000億元人民幣。