除了宣布下一代HBM3E高帶寬內存可以做到單顆芯片36GB、等效頻率9.8GHz的世界領先，三星還展望了真正全新一代HBM4內存的方向。

在三星的規劃中，HBM4將有兩個發展方向，使用更先進的晶體管工藝和更高級的封裝技術。

工藝方面，三星計劃在HBM上放棄傳統的平面晶體管，改用FinFET立體晶體管，從而降低所需的驅動電流，改善能效。

FinFET立體晶體管技術是Intel 22nm率先引用的，這些年一直是半導體制造工藝的根基，接下來在Intel 20A、臺積電2nm、三星3nm上，都將轉向全環繞立體柵極晶體管。

封裝方面，三星計劃從微凸點鍵合轉向無凸點鍵合(bumpless bongding)，將銅層與銅層直接互連。

事實上，這在邏輯芯片領域也是相當先進的技術，仍在研發之中。

顯然，這些都有助于HBM內存繼續擴大容量、提升頻率和帶寬，但成本也將居高不下，注定它不會和普通用戶產生多大關聯，依然是HPC、AI領域的專屬。