8月份，SK海力士全球首家宣布了321層堆疊的NAND閃存，首次突破300層，但是要到2025年上半年才會量產。

一直處于存儲一哥位置的三星坐不住了，因為原本規劃2024年量產的第9代V-NAND閃存只有280層左右，2025-2026年的第10代則突破到430層以上。

被反超顯然是三星不能忍的。

三星電子存儲業務總裁李榮培(Jung-bae Lee)最新披露，第9代V-NAND進展順利，將在明年初量產，基于雙堆棧架構，達成業界最高堆疊層數。

他沒有披露具體的層數，但此前就有說法稱，會提高到300層以上，能不能超過SK海力士的321層不好說，但至少在近期是新高。

顯然，三星給第9代閃存加碼了。