快科技10月19日消息，三星目前正在加快開發第五代HBM3e“Shinebolt”。

經初步測試，“Shinebolt”的最大數據傳輸速度將比上一代有所提升，預計將達到1.228TB/s，比SK海力士的HBM3e（最大數據傳輸速度為1.15TB/s）更快。

同時“Shinebolt”還采用了最新的12層垂直堆疊方案，能夠在單個HBM3e封裝上實現高達36GB的容量，而原型版本使用的8層堆疊方案僅實現了24GB的容量。

據悉，HBM（High Bandwidth Memory）屬于垂直連接多個DRAM，與DRAM相比顯著提升數據處理速度的高附加值、高性能產品。

HBM DRAM產品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發，其中HBM3e是HBM3的擴展（Extended）版本。HBM被認為是人工智能時代的新一代DRAM。