三星電子宣布，已完成開發(fā)全球首款32Gb(4GB) DDR5內(nèi)存芯片，迄今業(yè)界密度最高，可據(jù)此打造1TB容量的內(nèi)存條。

就在此前5月份，三星剛剛開始量產(chǎn)16Gb(2GB)容量的DDR5內(nèi)存芯片，頻率高達(dá)7200MT/s。

最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片，繼續(xù)采用12nm級別工藝制造，相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品，容量已經(jīng)增加了50多萬倍！

不過，三星并未披露具體頻率。

此前的128GB DDR5內(nèi)存條，必須使用TSV硅穿孔技術(shù)，堆疊多顆芯片才能達(dá)成，而現(xiàn)在有了單顆64Gb，就不需要TSV堆疊了，從而將功耗降低大約10％。

只需要8顆這樣的芯片，就能達(dá)成單條32GB容量。

更進(jìn)一步，使用8-Hi 3DS堆疊技術(shù)將8顆32Gb芯片整合在一起，然后在一條內(nèi)存上安裝32顆，就能達(dá)成單條1TB容量！

有了它，AMD EPYC 9004這樣支持12通道內(nèi)存的服務(wù)器平臺上，就可以實現(xiàn)單路系統(tǒng)12TB內(nèi)存。

三星計劃在今年底量產(chǎn)32Gb DDR5內(nèi)存芯片。