快科技7月12日消息，據(jù)武漢東湖國家自主創(chuàng)新示范區(qū)官方賬號“中國光谷”，華工科技近期制造出了我國首臺(tái)核心部件100%國產(chǎn)化的高端晶圓激光切割設(shè)備，在半導(dǎo)體激光設(shè)備領(lǐng)域攻克多項(xiàng)中國第一。

據(jù)華工科技激光半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)黃偉介紹，半導(dǎo)體晶圓屬于硬脆材料，一個(gè)12英寸(300毫米)的晶圓上有數(shù)千顆甚至數(shù)萬顆芯片，而晶圓切割和芯片分離，無論采取機(jī)械或激光方式，都會(huì)因物質(zhì)接觸和高速運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生熱影響和崩邊，從而影響芯片性能，因此，控制熱影響的擴(kuò)散范圍和崩邊尺寸是關(guān)鍵。

據(jù)悉，晶圓機(jī)械切割的熱影響和崩邊寬度約20微米，傳統(tǒng)激光在10微米左右。

此外，切割線寬的減少，意味著晶圓能做到更高的集成度，從而使得半導(dǎo)體制造更經(jīng)濟(jì)、更有效率。

從去年起，華工科技針對半導(dǎo)體晶圓切割技術(shù)，展開微納米級激光加工的迭代升級、攻堅(jiān)突破，20多人團(tuán)隊(duì)兩班倒，輪流做測試實(shí)驗(yàn)和產(chǎn)品優(yōu)化，設(shè)備24小時(shí)不停。

經(jīng)過一年努力，華工科技成功實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體晶圓切割技術(shù)的升級，熱影響降為0，崩邊尺寸降至5微米以內(nèi)，切割線寬可做到10微米以內(nèi)。

按照生產(chǎn)一代、研發(fā)一代、儲(chǔ)備一代的理念，華工科技還正在研發(fā)具備行業(yè)領(lǐng)先水平的第三代半導(dǎo)體晶圓激光改質(zhì)切割設(shè)備，計(jì)劃今年7月推出新產(chǎn)品。

同時(shí)，華工科技也在開發(fā)我國自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的第三代半導(dǎo)體晶圓激光退火設(shè)備。

公開資料顯示，華工科技成立于1999年，擁有2萬多平方米的研發(fā)、中試基地，以及3個(gè)海外研發(fā)中心，并與華中科技大學(xué)共建有激光加工國家工程研究中心、國家防偽工程研究中心、敏感陶瓷國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。

通過產(chǎn)學(xué)研用紐帶，華工科技牽頭制定國家“863”計(jì)劃項(xiàng)目、國家科技支撐計(jì)劃項(xiàng)目、十三五國家重大科技計(jì)劃專項(xiàng)等50余項(xiàng)，牽頭制定中國激光行業(yè)首個(gè)國際標(biāo)準(zhǔn)，獲得國家科技進(jìn)步獎(jiǎng)3項(xiàng)。