無需3nm工藝 全球首顆商用存內(nèi)計算SoC問世:功耗低至1毫安
來源:快科技 編輯:非小米 時間:2022-12-28 23:03人閱讀
臺積電明年就要宣布量產(chǎn)3nm工藝,這是當(dāng)前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝,然而3nm這樣的工藝不僅成本極高,同時SRAM內(nèi)存還有無法大幅微縮的挑戰(zhàn),國產(chǎn)半導(dǎo)體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片,是全球首顆商用存內(nèi)計算SoC。
存內(nèi)計算是一種新型架構(gòu)的芯片,相比當(dāng)前的計算芯片采用馮諾依曼架構(gòu)不同,存內(nèi)計算是計算與數(shù)據(jù)存儲一體,可以解決內(nèi)存墻的問題,該技術(shù)60年代就有提出,只是一直沒有商業(yè)化。
知存科技的WTM2101芯片是國際首顆商用存內(nèi)計算SoC芯片,擁有高算力存內(nèi)計算核,相對于NPU、DSP和MCU計算平臺,其AI算力提高了10-200倍。
據(jù)該公司創(chuàng)始人、CEO王紹迪介紹,這款芯片是知存科技首次嘗試在低功耗場景下量產(chǎn)的存內(nèi)計算芯片,一般運行功耗在1毫安至5毫安之間。
此前還有報道,除了WTM2101芯片,知存科技也針對更高性能的視頻增強場景正在開發(fā)WTM8系列芯片,新一代架構(gòu)可以在單核提升算力80倍,提升效率10倍,目前驗證芯片已經(jīng)回片,預(yù)計2023年正式發(fā)布。
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